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内容提要:
本书在讲座电力电子技术与电力电子设备发展动向的基础上,全面介绍了常用各种电力半导体器件的内部结构、外形、工作原理、参数定义、保护技术、驱动技术及使用技巧。内容涉及普通晶闸管、门极关断(GTO)晶闸管、电力晶体管(GTR)、MOS场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)、静电感应晶体管(SIT)、MOS控制晶闸管(MCT)、快恢复二极管(FSR)、联栅晶体管(GAT)、MOS双门极发射极关断晶闸管(EST)、集成门极换向晶闸管(IGCT)、注入增强栅晶体管(IEGT)、电力半导体模块和组件、固态继电器等,给出上述部分器件的参数、各公司产品型号对照,最后详细给出普通晶闸管、GTO晶闸管、MOSFET和IGBT常用驱动集成电路的引脚排列、内部结构和工作原理、主要特点和参数限制以及应用技术。附录中给出一些器件专用控制和驱动板选型指南和书中提到的生产企业的联系途径。
作者简介:
李宏,1960年5月出生 ,陕西乾县人,1983年7月及1998年7月分别从西安交通大学工业自动化专业本科及研究生毕业,工学硕士,现任中国电工技术学会电力电子学会理事,中国电源学会特种电源专业委员会常务委员、西安石油学院自动化系副教授,主要研究方向为电力电子技术,电气传动技术,特种电源技术及专用集成电路的开发和应用技术。曾在西安电力电子技术研究所工作11年,至今累计发表学术论文100多篇,参与编写学术专著、独著,统编手册共8部,其中已出版学术专著6部,全国统编手册2部,主持设计与电力电子有关的工程项目近50个,研制开发的电力电子成套装置300多台套,运行于国内电力、冶金、化工、石油、机械、电子、核工业、军工等行业,并已出口到东南亚,还装备了中国人民解放军空军导弹部队,开发的晶闸管,GTR、IGBT专用驱动控制板累计在全国销售5000多块,主编的实用电力电子技术资料(内部发行)15种,在全国28个省市销售近10000册。
目录:
前言 第1章 电力电子技术与电力电子设备的发展动向 1.1电力电子技术与电力电子设备 1.2电力半导体器件和功率集成电路 1.3电力电子设备和控制专用集成电路 第2章 常用电力半导体器件 2.1概述 2.2晶闸管(Thyristor) 2.2.1晶闸管的基本结构 2.2.2晶闸管的工作原理 2.2.3晶闸管三个极的鉴别方法 2.2.4晶闸管的基本特性 2.2.5晶闸管的主要技术参数 2.2.6晶闸管的串、并联 2.2.7晶闸管的保护 2.2.8其他常用的不可控制关断晶闸管 2.3门极关断(GTO)晶闸管 2.3.1 GTO的基本结构 2.3.2 GTO的工作原理 |