存储器IC的应用技巧——图解实用电子技术丛书

    桑野雅彦，1984年毕业于早稻田大学理工学部，进入东京芝浦电气（现在的东芝）；1998年独立从事开发与设计。

第1章UVEPROM的结构与使用方法
　1.1 UVEPROM的结构与特征
　　1.1.1 UVEPROM的单元结构
　　1.1.2 UVEPROM的写入与擦除
　　1.1.3 一次性PROM
　1.2 UV-EPROM的输入输出信号
　1.3 操作模式
　　1.3.1 数据读（Data Read）
　　1.3.2 输出禁止（Output Disable）
　　1.3.3 待机（TTL/CMOS）
　　1.3.4 编程(Programming)
　　1.3.5 编程验证(Program Verify)
　　1.3.6 编程禁止（Program Inhibit）
　　1.3.7 自动选择（Auto Select）
　1.4 DC规定
　1.5 UV-EPROM的读操作
　1.6 UV-EPROM的编程方法
　　1.6.1 UV-EPROM写入方式的变迁
　　1.6.2 Am27C010的编程方法
　　1.6.3 UV-EPROM擦除器的制作
第2章 闪速存储器的结构与使用方法
　2.1 闪速存储器的概要
　2.2 闪速存储器的分类及特征
　2.3 NAND闪速存储器
　　2.3.1 TC58V64的引脚配置
　　2.3.2 NAND闪速存储器的内部结构
　　2.3.3 操作指令
　2.4 NOR闪速存储器
　　2.4.1 引脚配置
　　2.4.2 信号的种类
　　2.4.3 与处理器的连接实例
　　2.4.4 读周期的概要
　　2.4.5 写周期的概要
　　2.4.6 读周期的时序
　　2.4.7 写周期的时序
　　2.4.8 闪速存储器指令
　　【专栏】555h/2AAh与5555h/2AAAh有何区别
　　2.4.9 闪速存储器的状态
第3章 EEPROM的结构与使用方法
　3.1 EEPROM的概要
　3.2 串行EEPROM
　3.3 Microwire总线对应的存储器——M93Cx6
　　3.3.1 M93Cx6的引脚配置
　　3.3.2 Microwire总线的存取操作
　3.4 SPI总线存储器——M95256
　　3.4.1 M95256的引脚配置
　　3.4.2 SPI总线对应的存储器的操作
　　3.4.3 指令设置
　　3.4.4 状态寄存器
　3.5 I2C总线对应的存储器——M24Cxx
　　3.5.1 I2C总线与串行EEPROM
　　3.5.2 I2C总线存储器M24C01~M24C16
　　3.5.3 I2C总线的基本操作
　　3.5.4 写操作的流程
　　3.5.5 读操作的流程
　　3.5.6 扩展I2C总线存储器
　　3.5.7 M24C64的时序
　3.6 并行EEPROM
　　3.6.1 M28010的信号
　　3.6.2 基本的存取操作
　　3.6.3 EEPROM的写入操作及指令
　　3.6.4 状态寄存器
第4章 SRAM的结构与使用方法
　4.1 SRAM的单元结构
　　4.1.1 RS触发器
　　4.1.2 4晶体管单元
　　4.1.3 6晶体管单元
　4.2 SRAM的分类
　　4.2.1 异步SRAM
　　4.2.2 同步SRAM
　　4.2.3 双端口SRAM
　　4.2.4 FIFO
　4.3 异步SRAM
　　4.3.1 异步SRAM的信号
　　4.3.2 异步SRAM的基本操作
　　4.3.3 时序的解析
　4.4 同步SRAM
　　4.4.1 同步管道突发式SRAM
　　4.4.2 实际的同步管道突发式SRAM
　　4.4.3 同步管道突发式SRAM的各种信号
　　4.4.4 同步管道突发式SRAM的基本操作
　　4.4.5 同步突发式SRAM
　　4.4.6 实际的同步突发式SRAM
　　4.4.7 同步突发式SRAM的单一读操作
　　4.4.8 同步突发式SRAM的突发读操作
　4.5 SRAM主板的制作
　　4.5.1 ISA总线存储器周期的注意事项
　　4.5.2 SRAM存储器主板的基本设计
　　4.5.3 SRAM存储器主板的操作确认
第5章 特殊的SRAM的结构与使用方法
　5.1 双端口SRAM
　　5.1.1 异步类型的双端口SRAM
　　5.1.2 CY7C019的引脚配置
　　5.1.3 CY7C019的信号线
　　5.1.4 CY7C019的基本操作功能
　　5.1.5 同步类型的双端口SRAM
　　5.1.6 CY7C09199的引脚配置
　　5.1.7 CY7C09199的信号
　　5.1.8 CY7C09199的存取操作
　5.2 FIFO存储器
　　5.2.1 实际的FIFO存储器
　　5.2.2 CY7C419的信号
　　5.2.3 CY7C419的操作
第6章 DRAM的结构与使用方法
　6.1 DRAM的单元结构
　　6.1.1 DRAM单元结构的概况
　　6.1.2 刷新
　　6.1.3 软错误
　　6.1.4 电容器的设计
　6.2 DRAM内部电路
　6.3 DRAM的外部接口
　　6.3.1 DRAM的基本信号
　　6.3.2 DRAM的读/写操作
　　6.3.3 DRAM的刷新操作
　　6.3.4 DRAM的快速访问模式
　6.4 同步DRAM
　　6.4.1 同步DRAM的信号
　　6.4.2 SDRAM指令
　　6.4.3 同步DRAM的存取操作示例
　6.5 DDR-SDRAM
　　6.5.1 DDR-SDRAM的信号
　　6.5.2 DDR-SDRAM的操作
　6.6 直接总线式DRAM
　　6.6.1 直接总线式DRAM的信号
　　6.6.2 直接总线式DRAM的信号连接
　　6.6.3 直接总线式DRAM的操作概况
　　6.6.4 直接总线式DRAM的操作示例
　6.7 VC-DRAM及其内部结构
　6.8 FCRAM
附录 存储器模块在个人计算机中的应用
参考文献

从20世纪60年代开始生产的半导体存储器，无论结构、性能，还是存储密度，每一年都有突飞猛进的发展，成为最重要的一类集成电路产品，并且作为数字电子系统重要组成部分，已经深入到人们的日常生活中。. 本书以市场上常见的存储器IC为对象，分类说明它们的基本设计结构和一般的工作原理，并以实际的器件为例、以实际数据为参考，对器件的使用方法进行解说，非常实用。对于想了解存储器IC技术的读者以及电子工业领域的从业人员，包括计算机、通信、家用电器等领域的工程师、系统设计师及其管理人员来讲，此书都很有参考价值。.. 全书共分为6章，分别介绍了5种不同类型的半导体存储器IC。第1章至第4章，分别介绍了U..

大约50年前，最早的计算机存储器曾使用过水银柱延迟线存储器、磁鼓存储器以及CRT存储器(阴极射线管存储器)等，之后又使用了磁心存储器等。随着IC(Integrated Circuit，集成电路)技术的发展和进步，电子电路中储存数据的存储器IC(半导体记忆元件)达到了全盛时期，并一直沿用至今。. 存储器的芯片化发展让适应于各种应用和用途的开发得以持续，现在的存储器IC在实际应用中进行了更多的改进和发展。在个人计算机的世界中，作为主存储器，不但使用动态随机存储器(DRAM)、安装在基本输入输出系统(BIOS)以及各种存储卡内的闪速存储器(Flash Memory，一般称为闪存)，而且还使用了可以存储任选项目的自定义设置..