半导体器件基础——国外大学优秀教材—微电子类系列（影印版）
|
读过这本书吗？
最近在读
读过
想读
还不熟悉
|
图书城书列：
加入到博客或社交网站：
|
|
我来评论这本书：
内容提要：
本书不仅包括了量子力学、半导体物理和半导体器件（包括二极管、场效应晶体管、双极晶体管和光电器件）的基本工作原理等内容，还写进了现代半导体器件的最新进展以及器件的实际应用。例如：对于显著影响现代小尺寸器件电学特性的二级效应进行了分析和公式推导，给出了描述小尺寸器件特性的最新的数学表达式；考虑到异质结在场效应器件、双极器件和光电器件中的应用日益增加，书中对半导体异质结作了着重介绍；由于半导体制造设备和工艺技术的提高，“能带工程”得以实现，随之带来了器件性能的提高，所以本书在重点介绍硅材料和硅器件的基础上，还介绍了化合物半导体器件、合金器件（如SiGe，AlGaAs）和异质结器件；本书还利用电路分析程序SPICE对器件的I -V特性进行了模拟，对简单电路进行了稳态和瞬态分析。
本书不仅是一本很好的教科书，也很适合作为微电子和相关领域的工程技术人员的参考书。作者Betty Lise Anderson博士是美国俄亥俄州立大学工学院的电机工程教授，讲授多门本科生和研究生的课程。曾经在工业界工作过九年，有丰富的研究经验，目前正在从事用于通讯、雷达和信息处理的光子学器件研究。因此,与实际器件应用紧密结合也是本书的一个特色。 编辑推荐：
本书不仅包括了量子力学、半导体物理和半导体器件（包括二极管、场效应晶体管、双极晶体管和光电器件）的基本工作原理等内容，还写进了现代半导体器件的最新进展以及器件的实际应用。例如：对于显著影响现代小尺寸器件电学特性的二级效应进行了分析和公式推导，给出了描述小尺寸器件特性的最新的数学表达式；考虑到异质结在场效应器件、双极器件和光电器件中的应用日益增加，书中对半导体异质结作了着重介绍；由于半导体制造设备和工艺技术的提高，“能带工程”得以实现，随之带来了器件性能的提高，所以本书在重点介绍硅材料和硅器件的基础上，还介绍了化合物半导体器件、合金器件（如SiGe，AlGaAs）和异质结器件；本书还利用电路分析程序SPICE对器件的I -V特性进行了模拟，对简单电路进行了稳态和瞬态分析。
本书不仅是一本很好的教科书，也很适合作为微电子和相关领域的工程技术人员的参考书。作者Betty Lise Anderson博士是美国俄亥俄州立大学工学院的电机工程教授，讲授多门本科生和研究生的课程。曾经在工业界工作过九年，有丰富的研究经验，目前正在从事用于通讯、雷达和信息处理的光子学器件研究。因此,与实际器件应用紧密结合也是本书的一个特色。 目录：
CONTENTS
Preface xiii PA R T 1 Materials Chapter 1 Electron Energy and States in Semiconductors 1.1 Introduction and Preview 1.2 A Brief History 1.3 Application to the Hydrogen Atom 1.4 Wave-Particle Duality 1.5 The Wave Function 1.6 The Electron Wave Function 1.7 A First Look at Optical Emission and Absorption 1.8 Crystal Structures, Planes, and Directions 1.9 Summary 1.10 Reading List 1.11 References 1.12 Review Questions 1.13 Problems Chapter 2 Homogeneous Semiconductors 2.1 Introduction and Preview 2.2 Pseudo-Classical Mechanics for Electrons in Crystals 2.3 Conduction Band Structure 2.4 Valence Band Structure 2.5 Intrinsic Semiconductors 2.6 Extrinsic Semiconductors 2.7 The Concept of Holes 2.8 Density-of-States Functions for Electrons in Bands 2.9 Fermi-Dirac Statistics 2.10 Electron and Hole Distributions with Energy 2.11 Temperature Dependence of Carrier Concentrations in Nondegenerate Semiconductors 2.12 Degenerate Semiconductors 2.13 Summary 2.14 Reading List 2.15 References 2.16 Review Questions 2.17 Problems Chapter 3 Current Flow in Homogeneous Semiconductors 3.1 Introduction 3.2 Drift Current 3.3 Carrier Mobility 3.4 Diffusion Current 3.5 Carrier Generation and Recombination 3.6 Optical Processes in Semiconductors 3.7 Continuity Equations 3.8 Minority Carrier Lifetime 3.9 Minority Carrier Diffusion Lengths 3.10 Quasi Fermi Levels 3.11 Summary 3.12 Reading List 3.13 References 3.14 Review Questions 3.15 Problems Chapter 4 Nonhomogeneous Semiconductors …… PA R T 2 Diodes Chapter 5 Prototype pn Homojunctions Chapter 6 Additional Considerations for Diodes PA R T 3 Field-Effect Transistors Chapter 7 The MOSFET Chapter 8 Additional Considerations for FETs PA R T 4 Bipolar Junction Transistors Chapter 9 Bipolar Junction Devices: Statics Chapter 10 Time-Dependent Analysis of BJTs PA R T 5 Optoelectronic Devices Chapter 11 Optoelectronic Devices Appendices 前言：
微电子技术是信息科学技术的核心技术之一，微电子产业是当代高新技术产业群的核心和维护国家主权、保障国家安全的战略性产业。我国在《信息产业“十五”计划纲要》中明确提出：坚持自主发展，增强创新能力和核心竞争力，掌握以集成电路和软件技术为重点的信息产业的核心技术，提高具有自主知识产权产品的比重。发展集成电路技术的关键之一是培养具有国际竞争力的专业人才。.
微电子技术发展迅速，内容更新快，而我国微电子专业图书数量少，且内容和体系不能反映科技发展的水平，不能满足培养人才的需求，为此，我们系统挑选了一批国外经典教材和前沿著作，组织分批出版。图书选择的几个基本原则是：在本领域内..
序言：
Anderson的这本《半导体器件基础》(Fundamentals of Semiconductor Devices)是一本适合微电子专业、电气和电子工程专业本科高年级学生和研究生使用的教材。与国内外关于半导体器件的其他教科书相比，这本书和半导体物理衔接更紧密，介绍了最新的半导体器件方面的进展，从器件物理和工程应用的角度对现代半导体器件进行了全面而注重实际的讲述。本书特别强调对决定半导体材料和器件电学性质的物理过程的理解，以及器件的实际应用。读者阅读此书，不仅可以知道公式的推导过程，更能够理解公式的物理意义，了解公式的应用范围。此外，作者清晰和有条理的写作风格、核心内容的全面覆盖以及对当前研究热点问题..
|